Caracterización por espectroscopía óptica de emisión de centros creados por metales de transición en semiconductores : GaAs-Vy Si-Au / Gaspar Armelles Reig
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TextoDetalles de publicación: Valladolid : Universidad.Facultad de Ciencias, 198? Descripción: 6h.,XIXh., 114pTema(s): Semiconductores -- Tesis doctoralesNota de disertación: Tesis - Univ. Valladolid
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Tesis - Univ. Valladolid
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